⑴ 一文详解晶片湿法刻蚀
湿法刻蚀在半导体制造中的应用
湿法刻蚀使用液体刻蚀介质，这种方法相比干法蚀刻更为简单且成本较低，常用于室温下的硅刻蚀。然而，湿法刻蚀的刻蚀速度较慢，且处理废液是一个问题。选择适合的化学溶液至关重要，以确保目标物质能够充分反应并被成功去除。
硅湿法刻蚀包括酸性蚀刻液和碱性刻蚀液。酸性蚀刻液如HNO3 和HF溶液，通过化学反应去除硅。碱性刻蚀液如氢氧化钾、氢氧化氨或TMAH溶液，常用于刻蚀硅的表面腐蚀或减薄。
氧化硅湿法刻蚀则使用HF溶液，通过化学反应去除氧化硅。BOE（HF和NH4F的混合物）是一种常见的缓冲氧化物刻蚀剂，它能避免HF刻蚀时氟离子的缺乏，且溶液pH值稳定，不受少量酸加入的影响。HF/EG溶液（49%的氢氟酸与乙二醇混合物）用于炉管氧化硅和氮化硅的刻蚀，其主要特点是不与基体硅或干刻蚀损伤硅反应。
对于氮化硅的湿法刻蚀，热磷酸溶液或HF/EG湿法是普遍方法。氮化硅湿法去除的普遍方法是热磷酸溶液，HF对氮化硅有高的刻蚀率，但不适宜制程应用。
湿法刻蚀在半导体行业的应用广泛，但需要注意的是，湿法刻蚀涉及到液态化学刻蚀剂的处理和处置，因此必须确保操作者的安全和环境保护。同时，湿法刻蚀可能不适用于所有类型的芯片制程，尤其是那些需要极高刻蚀精度的应用。
本文提供了关于湿法刻蚀的详细信息和资源，包括书籍、PPT、文件和视频等，帮助您深入了解这一领域。