⑴ 一文詳解晶片濕法刻蝕
濕法刻蝕在半導體製造中的應用
濕法刻蝕使用液體刻蝕介質，這種方法相比干法蝕刻更為簡單且成本較低，常用於室溫下的硅刻蝕。然而，濕法刻蝕的刻蝕速度較慢，且處理廢液是一個問題。選擇適合的化學溶液至關重要，以確保目標物質能夠充分反應並被成功去除。
硅濕法刻蝕包括酸性蝕刻液和鹼性刻蝕液。酸性蝕刻液如HNO3 和HF溶液，通過化學反應去除硅。鹼性刻蝕液如氫氧化鉀、氫氧化氨或TMAH溶液，常用於刻蝕硅的表面腐蝕或減薄。
氧化硅濕法刻蝕則使用HF溶液，通過化學反應去除氧化硅。BOE（HF和NH4F的混合物）是一種常見的緩沖氧化物刻蝕劑，它能避免HF刻蝕時氟離子的缺乏，且溶液pH值穩定，不受少量酸加入的影響。HF/EG溶液（49%的氫氟酸與乙二醇混合物）用於爐管氧化硅和氮化硅的刻蝕，其主要特點是不與基體硅或干刻蝕損傷硅反應。
對於氮化硅的濕法刻蝕，熱磷酸溶液或HF/EG濕法是普遍方法。氮化硅濕法去除的普遍方法是熱磷酸溶液，HF對氮化硅有高的刻蝕率，但不適宜製程應用。
濕法刻蝕在半導體行業的應用廣泛，但需要注意的是，濕法刻蝕涉及到液態化學刻蝕劑的處理和處置，因此必須確保操作者的安全和環境保護。同時，濕法刻蝕可能不適用於所有類型的晶元製程，尤其是那些需要極高刻蝕精度的應用。
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